Статья
Теплофизические свойства веществ
2019. Т. 57. № 6. С. 882–885
Ашитков С.И., Овчинников А.В., Ситников Д.С., Агранат М.Б.
Образование поглощающего слоя и сверхбыстрый переход арсенида галлия в металлическое состояние при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов
Экспериментально показано, что при воздействии на $\rm GaAs$ фемтосекундными лазерными импульсами с интенсивностью, близкой по величине к порогу плавления, в поверхностном слое глубиной $\sim30$ нм происходит образование электронно-дырочной плазмы с последующим переходом в металлическое состояние. Данное явление наблюдается при воздействии лазерных импульсов с энергией кванта излучения как меньше, так и больше ширины запрещенной зоны. Образование электронно-дырочной плазмы и поглощающего слоя с металлическими свойствами обусловлено в основном механизмом лавинной ионизации электронным ударом.
Ссылка на статью:
Ашитков С.И., Овчинников А.В., Ситников Д.С., Агранат М.Б. Образование поглощающего слоя и сверхбыстрый переход арсенида галлия в металлическое состояние при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов, ТВТ, 2019. Т. 57. № 6. С. 882
High Temp. 2019, v.57, №6, pp. 859-862
Ашитков С.И., Овчинников А.В., Ситников Д.С., Агранат М.Б. Образование поглощающего слоя и сверхбыстрый переход арсенида галлия в металлическое состояние при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов, ТВТ, 2019. Т. 57. № 6. С. 882
High Temp. 2019, v.57, №6, pp. 859-862