Статья

Методы экспериментальных исследований и измерений
1992. Т. 30. № 3. С. 601–608
Мацевитый Ю.М., Балашова Н.В., Мултановский А.В., Панасенко П.В., Тимченко В.М., Шерышев В.П.
Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин
Аннотация
На основе концепции сосредоточенной емкости разработана математическая модель процессов тепломассопереноса в системе "пластина – покрытие" при формировании областей $n$-типа проводимости на полуизолирующем арсениде галлия. Исследована динамика полей температуры и концентрации имплантированной примеси в процессе активационного отжига арсенид-галлиевых пластин при движении пластины с постоянной скоростью относительно источника излучения и в случае ее фиксированного положения.

УДК: 536.24.02
WoS: A1992LC55900027
Ссылка на статью:
Мацевитый Ю.М., Балашова Н.В., Мултановский А.В., Панасенко П.В., Тимченко В.М., Шерышев В.П. Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин, ТВТ, 1992. Т. 30. № 3. С. 601

High Temp. 1992, v.30, №3, pp. 488-494