Статья
Краткие сообщения
1965. Т. 3. № 3. С. 487–489
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М.
Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$
УДК: 539.27:546.681+546.682
Ссылка на статью:
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М. Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$, ТВТ, 1965. Т. 3. № 3. С. 487
High Temp. 1965, v.3, №3, pp. 0-0
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М. Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$, ТВТ, 1965. Т. 3. № 3. С. 487
High Temp. 1965, v.3, №3, pp. 0-0