Статья
Краткие сообщения
1965. Т. 3. № 3. С. 487–489
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М.
Электронографическое исследование строения молекул Ga2O и In2O
УДК: 539.27:546.681+546.682
Ссылка на статью:
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М. Электронографическое исследование строения молекул Ga2O и In2O, ТВТ, 1965. Т. 3. № 3. С. 487
High Temp. 1965, v.3, №3, pp. 0-0
Рамбиди Н.Г., Толмачев С.М. Электронографическое исследование строения молекул Ga2O и In2O, ТВТ, 1965. Т. 3. № 3. С. 487
High Temp. 1965, v.3, №3, pp. 0-0
Новости
Информация
Импакт-фактор 2022: 1.0
ISSN: 0040-3644
ISSN: 0018-151X (Англ. версия)
ISSN: 1608-3156 (Эл. версия)
ISSN: 1608-3156 (Эл. версия)
