Статья

Архив, 1991, № 6

Исследование плазмы

1991. Т. 29. № 6. С. 1060–1065

Александров Н.Л., Кончаков А.М.

Прилипание электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме

Изучен механизм прилипания электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме при наличии внешнего электрического поля. Проведен расчет константы скорости диссоциативного прилипания с учетом неравновесности энергетического распределения электронов. Показано, что наблюдаемое в эксперименте [5] с электронными «роями» эффективное трехчастичное прилипание объясняется диссоциативным прилипанием к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ и ионно-молекулярными реакциями, приводящими к освобождению электронов или образованию сложных отрицательных ионов.

УДК: 537.56
WoS: A1991JB68500003

Ссылка на статью:
Александров Н.Л., Кончаков А.М. Прилипание электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме, ТВТ, 1991. Т. 29. № 6. С. 1060

High Temp. 1991, v.29, №6, pp. 850-855