Статья

Архив, 1970, № 6

Исследования плазмы

1970. Т. 8. № 6. С. 1133–1137

Кирсанов В.Н.

К вопросу о поверхностной миграции ионов цезия в присутствии тормозящего электрического поля

В работе приведены примеры расчетов коэффициентов так называемой пристеночной диффузии ионов цезия, явления, которое характерно в условиях существования на поверхности электродов запирающего ионы электрического поля. Получены зависимости коэффициента диффузии ионов цезия от температуры поверхности электродов для низких степеней покрытия по­верхности для случаев распределения тормозящего потенциала вблизи электрода в форме Бурсиана–Лэнгмюра.

УДК: 537.565:533.924

Ссылка на статью:
Кирсанов В.Н. К вопросу о поверхностной миграции ионов цезия в присутствии тормозящего электрического поля, ТВТ, 1970. Т. 8. № 6. С. 1133

High Temp. 1970, v.8, №6, pp. 1065-1068