Статья

Исследования плазмы
1975. Т. 13. № 3. С. 497–502
Гольдфарб В.М., Лягущенко Р.И., Тендлер М.Б.
Расчет параметров положительного столба разряда в потоке гелия
Аннотация
На основе уравнений баланса числа электронов, баланса энергии электронов и выражения для силы разрядного тока произведен расчет «внутренних» параметров положительного столба разряда (электронной температуры, напряженности электрического поля, абсолютных значений и распределения вдоль по потоку концентрации электронов) для по­тока гелия: давление газа $p \sim 100$мм рт. ст., скорость потока $v \simeq 10^4$см/сек, температура газа $T_{\text{г}} = 300^{\circ}$ K. Получена формула, связывающая частоту ионизации со скоростью потока и коэффициентом амбиполярной диффузии. Учитывается отклонение функции распределения от максвелловской и дрювестейновской и ступенчатый характер ионизации. Рассмотрена релаксация $T_e$ и $n_e$ по выходе из области разряда. Оценивается степень нагрева газа в области разряда и роль электронной теплопроводности в балансе энергии электронов.
Ссылка на статью:
Гольдфарб В.М., Лягущенко Р.И., Тендлер М.Б. Расчет параметров положительного столба разряда в потоке гелия, ТВТ, 1975. Т. 13. № 3. С. 497

High Temp. 1975, v.13, №3, pp. 460-464