Статья

Архив, 2012, № 6

Теплофизические свойства веществ

2012. Т. 50. № 6. С. 769–774

Писарев В.В.

Определение свободной энергии поверхности кристалл-расплав

Представлены результаты вычисления свободной энергии поверхности кристалл-расплав $\gamma$ при помощи метода молекулярной динамики. Энергия поверхности определена на основе анализа спектра капиллярных флуктуаций в двухфазной системе. Определены значения свободной энергии поверхности кристалл-расплав для алюминия на кривой плавления в диапазоне температур от $935$ К до $1110$ К. Оценена величина анизотропии свободной энергии поверхности для различных ориентаций. Показано, что свободные энергии основных поверхностей расположены в порядке $\gamma_{100}>\gamma_{110}>\gamma_{111}$. Обнаружен рост величины свободной энергии поверхности кристалл-расплав при увеличении температуры вдоль кривой плавления.

УДК: 532.614.3
WoS: 000312579300005
Scopus: 2-s2.0-84880735450

Ссылка на статью:
Писарев В.В. Определение свободной энергии поверхности кристалл-расплав, ТВТ, 2012. Т. 50. № 6. С. 769

High Temp. 2012, v.50, №6, pp. 717-721