Статья

Архив, 1982, № 2

Исследование плазмы

1982. Т. 20. № 2. С. 215–219

Заседка Л.Н., Резцов В.Ф.

О структуре профиля электронной концентрации в окрестности локализованных неоднородностей при амбиполярной диффузии замагниченной рекомбинирующей плазмы

В приближении амбиполярной диффузии рассмотрена задача о структуре пограничного слоя электронов в окрестности макроскопических неоднородностей с учетом электрон-ионной рекомбинации. Показано, что при значениях электронной концентрации на границе включений, меньших концентрации электронов вдали от неоднородностей, структура пограничного слоя определяется ионизацией, а в противоположном случае – рекомбинацией. Влияние магнитного поля сводится к уменьшению толщины пограничного слоя в областях, где векторы магнитного поля и градиента электронной концентрации ориентированы перпендикулярно, вследствие уменьшения электронной подвижности в поперечном магнитном поле.

УДК: 537.311.33
WoS: A1982PU35800004

Ссылка на статью:
Заседка Л.Н., Резцов В.Ф. О структуре профиля электронной концентрации в окрестности локализованных неоднородностей при амбиполярной диффузии замагниченной рекомбинирующей плазмы, ТВТ, 1982. Т. 20. № 2. С. 215

High Temp. 1982, v.20, №2, pp. 184-188