Статья

Архив, 2009, № 4

Исследование плазмы

2009. Т. 47. № 4. С. 516–521

Алферов Д.Ф., Евсин Д.В., Иванов В.П.

Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора

Исследована возможность повышения отключающей способности вакуумного промежутка с постоянным аксиально-симметричным магнитным полем посредством шунтирующего резистора с сопротивлением $0.5$–$2$ Ом. Исследования проводились при нарастающем во времени токе с амплитудой до $1000$ А. Найдена зависимость тока ограничения от сопротивления шунтирующего резистора и скорости нарастания тока.

УДК: 621.387.35
WoS: 000268784800004
Scopus: 2-s2.0-68849097137

Ссылка на статью:
Алферов Д.Ф., Евсин Д.В., Иванов В.П. Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора, ТВТ, 2009. Т. 47. № 4. С. 516

High Temp. 2009, v.47, №4, pp. 489-493